BAV70 T/R是一种常见的双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于开关和信号放大应用。该器件采用玻璃钝化封装,具有低电容和快速开关特性,适合高频电路中的应用。它通常被用作通用小信号NPN晶体管。
集电极-发射极电压:45V
集电极电流:150mA
功率耗散:200mW
增益带宽积:2GHz
存储温度范围:-65℃至150℃
工作结温范围:-65℃至150℃
BAV70 T/R的主要特点是其快速开关特性和高频率响应能力,能够支持高达2GHz的增益带宽积。此外,它的低电容设计使得它在射频(RF)和高速数字电路中表现优异。这种晶体管还具有较高的可靠性,适合各种工业和消费类电子产品。
由于采用了玻璃钝化工艺,BAV70 T/R具备出色的长期稳定性和抗潮湿性能。这使得它在恶劣环境下也能保持良好的电气特性。
BAV70 T/R晶体管广泛应用于高频振荡器、混频器、检波器以及射频放大器等场景。此外,它也可用于音频信号处理、脉冲生成、逻辑门电路以及其他需要小信号放大的场合。
在消费电子领域,它可以用于电视调谐器、无线通信模块和蓝牙设备等。工业领域中,该晶体管可用于测试测量仪器、传感器接口和数据采集系统。
BC847C
MPSA42
2N3904